PeopleIBM: nuove simulazioni di supercomputing sostengono la rivoluzione dei chip

Roma, 26 feb. (Ign) - Progresso nelle simulazioni di IBM basate su computer, che aiuterà a portare le tecnologie dei chip verso nuovi traguardi in termini di prestazioni e funzioni. Come riferito dalla rivista scientifica Physical Review Letters, un’équipe di scienziati del centro di Ricerca dell'azienda di Zurigo ha utilizzato per la prima volta modelli di simulazione avanzati, eseguiti su di supercomputer, per approfondire la conoscenza del comportamento complesso di un nuovo materiale promettente – il biossido di afnio – nei transistor al silicio, i componenti fondamentali dei chip dei computer. Il nuovo materiale è un elemento chiave della tecnologia 'high-k metal gate', recentemente annunciata dall’azienda. Si tratta del primo importante cambiamento nel transistor dall’avvento dei semiconduttori in silicio e promette di migliorare in modo significativo le prestazioni dei chip, a vantaggio dei computer e di altri sistemi elettronici. IBM sta sviluppando la tecnologia e la applicherà ai prodotti nel 2008. Per questo studio, l’équipe IBM ha simulato le composizioni di vari materiali, usando 50 diversi modelli di silicati di afnio, materiali che si formano quando si mischiano silicio e ossidi di afnio. Questi modelli contengono fino a 600 atomi e circa 5.000 elettroni, rappresentando un sistema realistico. Un singolo calcolo della costante dielettrica è stato realizzato in soli cinque giorni di tempo di calcolo su due supercomputer Blue Gene/L a due rack (4096 processori), installati presso il laboratorio di Zurigo. Per calcolare la simulazione completa per tutti i 50 modelli (circa 250 giorni su Blue Gene), il più potente PC laptop impiegherebbe addirittura 700 anni. Ciò corrisponde a una cifra impressionante di 200 miliardi di miliardi (2 x 10 alla ventesima) di operazioni.